창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52C5V6LP-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52C5V1LP - BZT52C39LP | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1578 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
허용 오차 | ±7% | |
전력 - 최대 | 250mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 40옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 2-UFDFN | |
공급 장치 패키지 | 2-DFN1006(1.0x0.6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZT52C5V6LP-7-F BZT52C5V6LP-FDITR BZT52C5V6LP-FDITR-ND BZT52C5V6LP7 BZT52C5V6LPDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52C5V6LP-7 | |
관련 링크 | BZT52C5, BZT52C5V6LP-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
UVY2V470MHD | 47µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | UVY2V470MHD.pdf | ||
![]() | SIT1602BI-83-33E-75.000000Y | OSC XO 3.3V 75MHZ OE | SIT1602BI-83-33E-75.000000Y.pdf | |
![]() | 1N5342/TR8 | DIODE ZENER 6.8V 5W T18 | 1N5342/TR8.pdf | |
![]() | NTS4001ST1G | NTS4001ST1G ROHM SMD or Through Hole | NTS4001ST1G.pdf | |
![]() | D4632312AF9 | D4632312AF9 NEC BGA | D4632312AF9.pdf | |
![]() | LNSK16F103H | LNSK16F103H lat SMD or Through Hole | LNSK16F103H.pdf | |
![]() | 71626-1004 | 71626-1004 MOLEX SMD or Through Hole | 71626-1004.pdf | |
![]() | XC2V1000E-5FGG456C | XC2V1000E-5FGG456C XILINX SMD or Through Hole | XC2V1000E-5FGG456C.pdf | |
![]() | EE21-FT6B56/T02 | EE21-FT6B56/T02 FREESCAL SMD or Through Hole | EE21-FT6B56/T02.pdf | |
![]() | HY57V161610ETP-7R | HY57V161610ETP-7R HYUNDAI TSOP | HY57V161610ETP-7R.pdf | |
![]() | PE21213(200NS) | PE21213(200NS) AMP SMD or Through Hole | PE21213(200NS).pdf |