창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT52C4V7-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZT52CV0 - BZT52C51 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Bond Wire 16/Sept/2008 Green Encapsulate 29/Aug/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1576 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 4801 0530 BZT52C4V7-7-F-ND BZT52C4V7-FDITR BZT52C4V77F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZT52C4V7-7-F | |
| 관련 링크 | BZT52C4, BZT52C4V7-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
| OPB822SD | SENS OPTO SLOT 2.29MM 2 NPN THRU | OPB822SD.pdf | ||
|  | FRS1M TRTB | FRS1M TRTB FAGOR DO-214AC | FRS1M TRTB.pdf | |
|  | 747401 | 747401 ORIGINAL BGA | 747401.pdf | |
|  | 897.5MHZ/EFCH897MMTE7 | 897.5MHZ/EFCH897MMTE7 PANASONIC 3.0 3.0MM | 897.5MHZ/EFCH897MMTE7.pdf | |
|  | MA1U152WA(MA3T152DOL | MA1U152WA(MA3T152DOL PAN SOT-23 | MA1U152WA(MA3T152DOL.pdf | |
|  | NP1C106M05011FE180 | NP1C106M05011FE180 SAMWHA SMD or Through Hole | NP1C106M05011FE180.pdf | |
|  | SD1540-8 | SD1540-8 ST SMD or Through Hole | SD1540-8.pdf | |
|  | BZX55B13V | BZX55B13V TCKELCJTCON DO-35 | BZX55B13V.pdf | |
|  | NLFC322522T-4R7M | NLFC322522T-4R7M TDK SMD | NLFC322522T-4R7M.pdf | |
|  | BL-B21V1T | BL-B21V1T BRI SMD or Through Hole | BL-B21V1T.pdf | |
|  | BUZ73AH | BUZ73AH Infineon SMD or Through Hole | BUZ73AH.pdf |