창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT52C4V3T-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZT52C5V6T - BZT52C24T | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| 카탈로그 페이지 | 1578 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
| 허용 오차 | ±7% | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-523 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZT52C4V3T-7-ND BZT52C4V3T-7DITR BZT52C4V3T7 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZT52C4V3T-7 | |
| 관련 링크 | BZT52C4, BZT52C4V3T-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 0805YC104MAT4A | 0.10µF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 0805YC104MAT4A.pdf | |
![]() | SIT9120AI-2BF-XXE100.000000T | OSC XO 100MHZ | SIT9120AI-2BF-XXE100.000000T.pdf | |
| BZT55C36-GS08 | DIODE ZENER 36V 500MW SOD80 | BZT55C36-GS08.pdf | ||
![]() | 768161223GP | RES ARRAY 15 RES 22K OHM 16SOIC | 768161223GP.pdf | |
![]() | GZT-SH-112L | GZT-SH-112L GOODSKY DIP-SOP | GZT-SH-112L.pdf | |
![]() | 2SC2368-T1 | 2SC2368-T1 NEC SMD or Through Hole | 2SC2368-T1.pdf | |
![]() | BAT54CNFLM-H/J | BAT54CNFLM-H/J ST SOT23 | BAT54CNFLM-H/J.pdf | |
![]() | RN1105 TEL:82766440 | RN1105 TEL:82766440 TOSHIBA SMD or Through Hole | RN1105 TEL:82766440.pdf | |
![]() | CR2010511JR02 | CR2010511JR02 VishayIntertechno SMD or Through Hole | CR2010511JR02.pdf | |
![]() | SMBSAC10 | SMBSAC10 MCC SMB | SMBSAC10.pdf | |
![]() | AGIHLMP-K150 | AGIHLMP-K150 ORIGINAL SMD or Through Hole | AGIHLMP-K150.pdf | |
![]() | BKH(MKH) | BKH(MKH) ORIGINAL SMD or Through Hole | BKH(MKH).pdf |