창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52C4V3-13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52CV0 - BZT52C51 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
허용 오차 | ±7% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123 | |
공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | BZT52-C4V3DI BZT52-C4V3DITR BZT52-C4V3DITR-ND BZT52C4V3-13DITR BZT52C4V3-13TR BZT52C4V3DITR BZT52C4V3DITR-ND BZT52C4V3TR BZT52C4V3TR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52C4V3-13 | |
관련 링크 | BZT52C4, BZT52C4V3-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
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![]() | VJ0603D2R4BLBAJ | 2.4pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D2R4BLBAJ.pdf | |
![]() | 5WH103MDCAE | 10000pF 50V 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.236" Dia(6.00mm) | 5WH103MDCAE.pdf | |
![]() | SMBG160AHE3/52 | TVS DIODE 160VWM 259VC SMB | SMBG160AHE3/52.pdf | |
![]() | ISD203SMT | ISD203SMT ISOCOM DIPSOP | ISD203SMT.pdf | |
![]() | BPI-3C1-33 | BPI-3C1-33 BRIGHT SMD or Through Hole | BPI-3C1-33.pdf | |
![]() | CY7C1472V33-167ACES | CY7C1472V33-167ACES ORIGINAL QFP-100L | CY7C1472V33-167ACES.pdf | |
![]() | 28F640W30BD | 28F640W30BD MICROCHIP TSSOP | 28F640W30BD.pdf | |
![]() | PG206-T/R | PG206-T/R PANJIT SMD or Through Hole | PG206-T/R.pdf | |
![]() | RD1E107M6L011PA146 | RD1E107M6L011PA146 SAMWHA SMD or Through Hole | RD1E107M6L011PA146.pdf | |
![]() | ST9300553SS | ST9300553SS SEAGATE SMD or Through Hole | ST9300553SS.pdf | |
![]() | M27216A-1F1 | M27216A-1F1 ST DIP | M27216A-1F1.pdf |