창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52C43-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52C43, 47,51 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 16/Sept/2008 Green Encapsulate 29/Aug/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1577 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 43V | |
허용 오차 | ±7% | |
전력 - 최대 | 410mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 100옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 32V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123 | |
공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZT52C43-FDITR BZT52C437F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52C43-7-F | |
관련 링크 | BZT52C4, BZT52C43-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
RM8/I-3C81-A400 | RM8/I-3C81-A400 FERROX SMD or Through Hole | RM8/I-3C81-A400.pdf | ||
M45PE16-VMW6G/M45PE16-VMW6TG | M45PE16-VMW6G/M45PE16-VMW6TG MICRON WSOIC-8 | M45PE16-VMW6G/M45PE16-VMW6TG.pdf | ||
TPS76933DBVRG4 | TPS76933DBVRG4 TI SOT-153 | TPS76933DBVRG4.pdf | ||
4304-0 | 4304-0 PeregrineSemiconductor Onlyoriginal | 4304-0.pdf | ||
CO710 | CO710 ORIGINAL QFP | CO710.pdf | ||
CX24108-20E. | CX24108-20E. ORIGINAL QFP | CX24108-20E..pdf | ||
BCM5751KFB(P11) | BCM5751KFB(P11) BROADCOM SMD or Through Hole | BCM5751KFB(P11).pdf | ||
RH80535 1500/512 SL7ME | RH80535 1500/512 SL7ME INTEL PGA | RH80535 1500/512 SL7ME.pdf | ||
MDP4SA | MDP4SA N/A SMD or Through Hole | MDP4SA.pdf | ||
D74 | D74 NEC TO-3 | D74.pdf | ||
CDT02 | CDT02 ORIGINAL SMD or Through Hole | CDT02.pdf | ||
PCM56P | PCM56P ORIGINAL DIP | PCM56P .pdf |