창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52C3V9S-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52C2V0S - BZT52C39S | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 16/Sept/2008 Green Encapsulate 29/Aug/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1577 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.9V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZT52C3V9S-FDITR BZT52C3V9S7F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52C3V9S-7-F | |
관련 링크 | BZT52C3V, BZT52C3V9S-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
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![]() | ECS-300-10-36Q-DS-TR | 30MHz ±30ppm 수정 10pF 50옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ECS-300-10-36Q-DS-TR.pdf | |
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![]() | TVA0700N03W1F | TVA0700N03W1F EMC SMD or Through Hole | TVA0700N03W1F.pdf | |
![]() | BC/C113 | BC/C113 ORIGINAL TO-3 | BC/C113.pdf | |
![]() | C144M | C144M PRX SMD or Through Hole | C144M.pdf | |
![]() | BC848BT | BC848BT SIE SC-75 | BC848BT.pdf | |
![]() | 20919-002 | 20919-002 ARCHIVE PLCC84 | 20919-002.pdf | |
![]() | SI3201-FS. | SI3201-FS. SILICON SOP16 | SI3201-FS..pdf | |
![]() | 0P481G | 0P481G AD SOP14 | 0P481G.pdf | |
![]() | 90S2343 | 90S2343 AT SOP8 | 90S2343.pdf | |
![]() | NFM839R02C101R101 | NFM839R02C101R101 MURATA SMD or Through Hole | NFM839R02C101R101.pdf |