창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT52C3V3-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZT52CV0 - BZT52C51 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.3V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | BZT52C3V3-13DITR BZT52C3V3-13TR BZT52C3V3DITR BZT52C3V3DITR-ND BZT52C3V3TR BZT52C3V3TR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZT52C3V3-13 | |
| 관련 링크 | BZT52C3, BZT52C3V3-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 416F38022IAT | 38MHz ±20ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38022IAT.pdf | |
![]() | ERJ-1GEF1910C | RES SMD 191 OHM 1% 1/20W 0201 | ERJ-1GEF1910C.pdf | |
![]() | ERA-8AEB471V | RES SMD 470 OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8AEB471V.pdf | |
![]() | S-1206B52-MT1G | S-1206B52-MT1G SEIKO SOT23 | S-1206B52-MT1G.pdf | |
![]() | SN55189J/AJ | SN55189J/AJ Texas CDIP | SN55189J/AJ.pdf | |
![]() | UCC5608QPTR | UCC5608QPTR UNITR PLCC28 | UCC5608QPTR.pdf | |
![]() | 7W49100013 | 7W49100013 TXC SMD or Through Hole | 7W49100013.pdf | |
![]() | XC052416 | XC052416 VECTRON SMD or Through Hole | XC052416.pdf | |
![]() | B82462-G2472M | B82462-G2472M EPCOS SMD | B82462-G2472M.pdf | |
![]() | 74LVC2G04GV(V04) | 74LVC2G04GV(V04) PH SOT163 | 74LVC2G04GV(V04).pdf | |
![]() | 74HC74M96 | 74HC74M96 HARRIS 3.9mm | 74HC74M96.pdf | |
![]() | R1225N182J-TR-F | R1225N182J-TR-F RICOH SOT-23-6W | R1225N182J-TR-F.pdf |