창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52C3V0S-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52C2V0S - BZT52C39S | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 16/Sept/2008 Green Encapsulate 29/Aug/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1577 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3V | |
허용 오차 | ±7% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZT52C3V0S-FDITR BZT52C3V0S7F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52C3V0S-7-F | |
관련 링크 | BZT52C3V, BZT52C3V0S-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
06035G473ZAT2A | 0.047µF 50V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06035G473ZAT2A.pdf | ||
402F384XXCAT | 38.4MHz ±15ppm 수정 10pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F384XXCAT.pdf | ||
RC0402FR-071K69L | RES SMD 1.69K OHM 1% 1/16W 0402 | RC0402FR-071K69L.pdf | ||
BD4221NUX | BD4221NUX ROHM VS0N010X3020 | BD4221NUX.pdf | ||
NL252018T-330J(33UH,5%) | NL252018T-330J(33UH,5%) TDK INDUCTOR | NL252018T-330J(33UH,5%).pdf | ||
4CDSP 2S01 | 4CDSP 2S01 ALCATEL PLCC44 | 4CDSP 2S01.pdf | ||
NJM2872F25-TE2 | NJM2872F25-TE2 JRC SOT23-5 | NJM2872F25-TE2.pdf | ||
HA4600VP | HA4600VP HARRIS/INTERSIL DIP | HA4600VP.pdf | ||
MLF1608A3R9KT000 | MLF1608A3R9KT000 TDK SMD or Through Hole | MLF1608A3R9KT000.pdf | ||
LEB225F-0324 | LEB225F-0324 COSEL SMD or Through Hole | LEB225F-0324.pdf | ||
ECS-59-20-1X | ECS-59-20-1X ECS DIP | ECS-59-20-1X.pdf | ||
S5411F883B | S5411F883B S DIP | S5411F883B.pdf |