창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT52C36LP-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZT52C5V1LP - BZT52C39LP | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1578 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 36V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 25.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-UFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 2-DFN1006(1.0x0.6) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZT52C36LP7 BZT52C36LPDITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZT52C36LP-7 | |
| 관련 링크 | BZT52C3, BZT52C36LP-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | C0805C270J5GALTU | 27pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C270J5GALTU.pdf | |
![]() | T86C106M016ESSL | 10µF Molded Tantalum Capacitors 16V 2312 (6032 Metric) 700 mOhm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | T86C106M016ESSL.pdf | |
![]() | SIT8009BI-32-33E-125.00000Y | OSC XO 3.3V 125MHZ OE | SIT8009BI-32-33E-125.00000Y.pdf | |
![]() | P51-500-A-G-P-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 500 PSI (3447.38 kPa) Absolute Male - 1/8" (3.18mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-500-A-G-P-4.5V-000-000.pdf | |
![]() | TI6AK | TI6AK ORIGINAL BGA | TI6AK.pdf | |
![]() | GT10J303(Q) | GT10J303(Q) TOSHIBA NA | GT10J303(Q).pdf | |
![]() | XCS30XLTQ144-4C | XCS30XLTQ144-4C XILINH QFP | XCS30XLTQ144-4C.pdf | |
![]() | FU-71Z | FU-71Z KEYENCE SMD or Through Hole | FU-71Z.pdf | |
![]() | C1005CH1H100CT000P | C1005CH1H100CT000P TDK SMD | C1005CH1H100CT000P.pdf | |
![]() | CLC5823 | CLC5823 NS SOP-16 | CLC5823.pdf |