창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52C33S-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52C2V0S - BZT52C39S | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 16/Sept/2008 Green Encapsulate 29/Aug/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1577 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 33V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 23.1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZT52C33S-FDITR BZT52C33S7F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52C33S-7-F | |
관련 링크 | BZT52C3, BZT52C33S-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
445W32J20M00000 | 20MHz ±30ppm 수정 9pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W32J20M00000.pdf | ||
HM628512CLP-5/7SL | HM628512CLP-5/7SL HIT SMD or Through Hole | HM628512CLP-5/7SL.pdf | ||
MN1405NE | MN1405NE NAT SMD or Through Hole | MN1405NE.pdf | ||
AT43DK355 | AT43DK355 ATMEL SMD or Through Hole | AT43DK355.pdf | ||
61082-043502LF | 61082-043502LF BERG SMD or Through Hole | 61082-043502LF.pdf | ||
CK45-R3AD222K-VR1KV | CK45-R3AD222K-VR1KV TDK SMD or Through Hole | CK45-R3AD222K-VR1KV.pdf | ||
UR132G-2.2V | UR132G-2.2V UTC/ SOT-23TR | UR132G-2.2V.pdf | ||
XQ2V10004FG456M | XQ2V10004FG456M XILINX BGA | XQ2V10004FG456M.pdf | ||
2SB1412 / B1412 | 2SB1412 / B1412 ROHM SOT-252 | 2SB1412 / B1412.pdf | ||
XC6371P501PR | XC6371P501PR TOREX SOT-89 | XC6371P501PR.pdf | ||
476M35EP0250-CT | 476M35EP0250-CT AVX SMD or Through Hole | 476M35EP0250-CT.pdf | ||
MR06-28-21S-15-A66 | MR06-28-21S-15-A66 ITT-CANNON SMD or Through Hole | MR06-28-21S-15-A66.pdf |