창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52C33-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52CV0 - BZT52C51 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 16/Sept/2008 Green Encapsulate 29/Aug/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1577 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 33V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 23.1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123 | |
공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZT52C33-7-FDITR BZT52C33-7-FDITR-ND BZT52C33-FDITR BZT52C337F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52C33-7-F | |
관련 링크 | BZT52C3, BZT52C33-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
GRM21BC8YA106KE11L | 10µF 35V 세라믹 커패시터 X6S 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM21BC8YA106KE11L.pdf | ||
12063C223MAT2A | 0.022µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12063C223MAT2A.pdf | ||
Y0060100R000B9L | RES 100 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | Y0060100R000B9L.pdf | ||
1DA500J | NTC Thermistor 50 Disc, 2.5mm Dia x 0.8mm W | 1DA500J.pdf | ||
TC1N4148WT | TC1N4148WT TAK SOD523 | TC1N4148WT.pdf | ||
MN101D10GJB | MN101D10GJB ORIGINAL QFP | MN101D10GJB.pdf | ||
CXA3256R | CXA3256R SONY QFP | CXA3256R.pdf | ||
1.8Ω ±5% 10W | 1.8Ω ±5% 10W ORIGINAL SMD or Through Hole | 1.8Ω ±5% 10W.pdf | ||
DIC16F887 | DIC16F887 ORIGINAL SMD or Through Hole | DIC16F887.pdf | ||
NEC-TAN | NEC-TAN ORIGINAL SMD or Through Hole | NEC-TAN.pdf | ||
GSC79L18 | GSC79L18 GTM SOP-8PIN | GSC79L18.pdf | ||
KTC4217-Y-U/P H | KTC4217-Y-U/P H KECPb TO-126 | KTC4217-Y-U/P H.pdf |