창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52C30S-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52C2V0S - BZT52C39S | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 16/Sept/2008 Green Encapsulate 29/Aug/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1577 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
허용 오차 | ±7% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 21V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZT52C30S-FDITR BZT52C30S7F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52C30S-7-F | |
관련 링크 | BZT52C3, BZT52C30S-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | 2SK3078A(TE12L,F) | FET RF N-CH 10V 470 MHZ PW-MINI | 2SK3078A(TE12L,F).pdf | |
![]() | 1638R-12F | 470µH Unshielded Molded Inductor 112mA 17.9 Ohm Max Axial | 1638R-12F.pdf | |
![]() | RT0603BRC07787RL | RES SMD 787 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRC07787RL.pdf | |
![]() | RG2012N-511-W-T1 | RES SMD 510 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-511-W-T1.pdf | |
![]() | SIL1362.CLU | SIL1362.CLU SILTCON QFP | SIL1362.CLU.pdf | |
![]() | HD63B01V1F | HD63B01V1F HITACHI QFP | HD63B01V1F.pdf | |
![]() | IRF044 | IRF044 IR TO-3 | IRF044.pdf | |
![]() | CG2600MSTR | CG2600MSTR littelfuse SMD or Through Hole | CG2600MSTR.pdf | |
![]() | K9K8G08U0D-SIB0T00 | K9K8G08U0D-SIB0T00 SamsungSemiconduc SMD or Through Hole | K9K8G08U0D-SIB0T00.pdf | |
![]() | BR309 | BR309 SEP BR3-4 | BR309.pdf | |
![]() | 2512-20mR | 2512-20mR GCT SMD | 2512-20mR.pdf |