창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT52C2V7S-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZT52C2V0S - BZT52C39S | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.7V | |
| 허용 오차 | ±7% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 100옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 20µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZT52C2V7SDITR BZT52C2V7STR BZT52C2V7STR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZT52C2V7S-7 | |
| 관련 링크 | BZT52C2, BZT52C2V7S-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | TV06B7V0JB-HF | TVS DIODE 7VWM 12VC SMB | TV06B7V0JB-HF.pdf | |
![]() | PE-0805CM180JTT | 18nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 130 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | PE-0805CM180JTT.pdf | |
![]() | MQW010A902MR5 | MQW010A902MR5 MURATA SMD or Through Hole | MQW010A902MR5.pdf | |
![]() | 1210-106K-1.8MM | 1210-106K-1.8MM ORIGINAL B | 1210-106K-1.8MM.pdf | |
![]() | M4A3-256/12810YC-1 | M4A3-256/12810YC-1 ORIGINAL QFP | M4A3-256/12810YC-1.pdf | |
![]() | U004 | U004 ORIGINAL SOT23-6 | U004.pdf | |
![]() | LT1853 | LT1853 LT SOP | LT1853.pdf | |
![]() | BS62LV1029TC55 | BS62LV1029TC55 BRILLIANCESEMICONDUCTORINC SMD or Through Hole | BS62LV1029TC55.pdf | |
![]() | TE28F160C3TC90 845207 | TE28F160C3TC90 845207 INTEL SMD or Through Hole | TE28F160C3TC90 845207.pdf | |
![]() | 19215-0045-V | 19215-0045-V amd SMD or Through Hole | 19215-0045-V.pdf | |
![]() | 2SD596 DV3 | 2SD596 DV3 ST SOT-23 | 2SD596 DV3.pdf | |
![]() | LC866216A-5666 | LC866216A-5666 SAY QFP | LC866216A-5666.pdf |