창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52C2V7-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52CV0 - BZT52C51 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 16/Sept/2008 Green Encapsulate 29/Aug/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1576 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.7V | |
허용 오차 | ±7% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 100옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 20µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123 | |
공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZT52C2V7-FDITR BZT52C2V77F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52C2V7-7-F | |
관련 링크 | BZT52C2, BZT52C2V7-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | CAT35C116P | CAT35C116P CSI DIP-8 | CAT35C116P.pdf | |
![]() | FC-13M 32.768KHZ | FC-13M 32.768KHZ ORIGINAL R | FC-13M 32.768KHZ.pdf | |
![]() | SN7985-15VIR1 | SN7985-15VIR1 SI-EN SMD or Through Hole | SN7985-15VIR1.pdf | |
![]() | GM7810EF-QC | GM7810EF-QC GRAIN QFP | GM7810EF-QC.pdf | |
![]() | SD1E336M05011PAA80 | SD1E336M05011PAA80 SAMWHA SMD or Through Hole | SD1E336M05011PAA80.pdf | |
![]() | 25020N-SC27 | 25020N-SC27 ATMEL SOP-8 | 25020N-SC27.pdf | |
![]() | NTD500B155M32A0T00 | NTD500B155M32A0T00 CHEMI-CONpbfreenosmd ce-e1002k ce-all-e1 | NTD500B155M32A0T00.pdf | |
![]() | 250V43UF | 250V43UF CYC SMD or Through Hole | 250V43UF.pdf | |
![]() | HZ30-3E | HZ30-3E RENESAS DIP | HZ30-3E.pdf | |
![]() | Ht4 | Ht4 PHILIPS SOT-363 | Ht4.pdf | |
![]() | K4S161622DTC60 | K4S161622DTC60 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4S161622DTC60.pdf |