창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT52C2V4S-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZT52C2V0S - BZT52C39S | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Bond Wire 16/Sept/2008 Green Encapsulate 29/Aug/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
| PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1577 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.4V | |
| 허용 오차 | ±8% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 100옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZT52C2V4S-FDITR BZT52C2V4S7F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZT52C2V4S-7-F | |
| 관련 링크 | BZT52C2V, BZT52C2V4S-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | TNPW060315K0BEEA | RES SMD 15K OHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW060315K0BEEA.pdf | |
![]() | 00ABHA000071 | 00ABHA000071 ORIGINAL SSOP | 00ABHA000071.pdf | |
![]() | C8051F043 | C8051F043 SILICON TQFP64 | C8051F043.pdf | |
![]() | AT0405CB0300GN91 | AT0405CB0300GN91 BARRY SMD or Through Hole | AT0405CB0300GN91.pdf | |
![]() | ESD9X12V-2/ | ESD9X12V-2/ WILL SMD or Through Hole | ESD9X12V-2/.pdf | |
![]() | CX20482-12P | CX20482-12P SKYWORKS BGA-100D | CX20482-12P.pdf | |
![]() | HCNW2611#500E | HCNW2611#500E AGILENT SMD or Through Hole | HCNW2611#500E.pdf | |
![]() | RJ4200V2R2MT2 | RJ4200V2R2MT2 ELNA SMD or Through Hole | RJ4200V2R2MT2.pdf | |
![]() | ELJND47NF | ELJND47NF panasonic SMD or Through Hole | ELJND47NF.pdf | |
![]() | HY71C4103BJ-6 | HY71C4103BJ-6 HY SOJ | HY71C4103BJ-6.pdf | |
![]() | LT1460D5/D2/D1 | LT1460D5/D2/D1 LT SOP8 | LT1460D5/D2/D1.pdf |