창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT52C2V4LP-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZT52C5V1LP - BZT52C39LP | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1578 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.4V | |
| 허용 오차 | ±8% | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 100옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-UFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 2-DFN1006(1.0x0.6) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZT52C2V4LPDITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZT52C2V4LP-7 | |
| 관련 링크 | BZT52C2, BZT52C2V4LP-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | EC429332-E-1 | EC429332-E-1 ESILICON QFN | EC429332-E-1.pdf | |
![]() | S015J28-C | S015J28-C Sanyo SMD or Through Hole | S015J28-C.pdf | |
![]() | MC9S12XET256VAL-2M53J | MC9S12XET256VAL-2M53J FREESCAL TQFP | MC9S12XET256VAL-2M53J.pdf | |
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![]() | 51-001353-02 | 51-001353-02 PUSHPOWER SMD or Through Hole | 51-001353-02.pdf | |
![]() | XFC3162 | XFC3162 ORIGINAL DIP | XFC3162.pdf | |
![]() | PI6C4511 | PI6C4511 ORIGINAL SMD or Through Hole | PI6C4511.pdf | |
![]() | ML4824CS-2 | ML4824CS-2 MICROLTNEAR SOP | ML4824CS-2.pdf | |
![]() | V24C12C50BF2 | V24C12C50BF2 VICOR SMD or Through Hole | V24C12C50BF2.pdf | |
![]() | BCM56512AOIFEB P10 | BCM56512AOIFEB P10 BROADCOM BGA | BCM56512AOIFEB P10.pdf | |
![]() | GT-4800-P-1 | GT-4800-P-1 Galileo QFP | GT-4800-P-1.pdf |