창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT52C27S-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZT52C2V0S - BZT52C39S | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 27V | |
| 허용 오차 | ±7% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 18.9V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZT52C27SDITR BZT52C27STR BZT52C27STR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZT52C27S-7 | |
| 관련 링크 | BZT52C, BZT52C27S-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 445W32S30M00000 | 30MHz ±30ppm 수정 시리즈 30옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W32S30M00000.pdf | |
![]() | SFR16S0007322FR500 | RES 73.2K OHM 1/2W 1% AXIAL | SFR16S0007322FR500.pdf | |
![]() | CMF55165R00FKRE | RES 165 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55165R00FKRE.pdf | |
![]() | CW010240R0JE733 | RES 240 OHM 13W 5% AXIAL | CW010240R0JE733.pdf | |
![]() | M56735 | M56735 ORIGINAL SOP | M56735.pdf | |
![]() | SKW15N60 | SKW15N60 INFINEON PG-TO247-3 | SKW15N60.pdf | |
![]() | A80960CA25(I960) | A80960CA25(I960) INTEL SMD or Through Hole | A80960CA25(I960).pdf | |
![]() | 21806.3XP | 21806.3XP LITTLEFUSE SMD or Through Hole | 21806.3XP.pdf | |
![]() | MUAR | MUAR STM QFP-176 | MUAR.pdf | |
![]() | EB88CTG ES | EB88CTG ES ORIGINAL BGA | EB88CTG ES.pdf | |
![]() | 120UF 50V,10*13 | 120UF 50V,10*13 ORIGINAL SMD or Through Hole | 120UF 50V,10*13.pdf | |
![]() | MP2-H030-51P1-S-TG30 | MP2-H030-51P1-S-TG30 N/A SMD or Through Hole | MP2-H030-51P1-S-TG30.pdf |