창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52C18S-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52C2V0S - BZT52C39S | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 45옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 12.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZT52C18SDITR BZT52C18STR BZT52C18STR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52C18S-7 | |
관련 링크 | BZT52C, BZT52C18S-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
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![]() | T86C475K035EBAS | 4.7µF Molded Tantalum Capacitors 35V 2312 (6032 Metric) 1.8 Ohm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | T86C475K035EBAS.pdf | |
![]() | 7447798720 | 7.2µH Shielded Wirewound Inductor 7.9A 12.8 mOhm Max Nonstandard | 7447798720.pdf | |
![]() | SII1161CTU100 | SII1161CTU100 SILIICON QFP | SII1161CTU100.pdf | |
![]() | FH23-51S-0.3SHW(06 | FH23-51S-0.3SHW(06 HRS SMD | FH23-51S-0.3SHW(06.pdf | |
![]() | XC2V6000-2BF957C | XC2V6000-2BF957C XILINX BGA | XC2V6000-2BF957C.pdf | |
![]() | 76129S3S | 76129S3S ORIGINAL SMD or Through Hole | 76129S3S.pdf | |
![]() | MB620637PFG-BND | MB620637PFG-BND FUJ MQFP2828 | MB620637PFG-BND.pdf | |
![]() | TDA12000H1/N1B501AB | TDA12000H1/N1B501AB PHILIPS QFP160 | TDA12000H1/N1B501AB.pdf | |
![]() | STEL-1174 | STEL-1174 STEL PLCC | STEL-1174.pdf |