창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52C18S-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52C2V0S - BZT52C39S | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 16/Sept/2008 Green Encapsulate 29/Aug/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1577 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 45옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 12.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZT52C18S-FDITR BZT52C18S7F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52C18S-7-F | |
관련 링크 | BZT52C1, BZT52C18S-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
TNPW25127K32BEEG | RES SMD 7.32K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW25127K32BEEG.pdf | ||
Y00074K22000T0L | RES 4.22K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y00074K22000T0L.pdf | ||
40P10.0-JMCS-G-B-TF | 40P10.0-JMCS-G-B-TF JST SMD | 40P10.0-JMCS-G-B-TF.pdf | ||
DAC1021LCJ | DAC1021LCJ NS CDIP16 | DAC1021LCJ.pdf | ||
MPG-440A+ | MPG-440A+ Imagia QFP208 | MPG-440A+.pdf | ||
VGA8/01、VGA16/01、VGA24/01、VGA32/01 | VGA8/01、VGA16/01、VGA24/01、VGA32/01 RAX SMD or Through Hole | VGA8/01、VGA16/01、VGA24/01、VGA32/01.pdf | ||
MK36399N | MK36399N MOSTEK DIP | MK36399N.pdf | ||
595D187X9016R2 | 595D187X9016R2 N/A SMD or Through Hole | 595D187X9016R2.pdf | ||
SST28EE011-150-3CF | SST28EE011-150-3CF SST DIP-32 | SST28EE011-150-3CF.pdf | ||
SM8LZ47(F) | SM8LZ47(F) TOSHIBA SMD or Through Hole | SM8LZ47(F).pdf | ||
MAX325ESA+T | MAX325ESA+T MAXIM SOP8 | MAX325ESA+T.pdf | ||
MMBV609LT1 NOPB | MMBV609LT1 NOPB ON SOT23 | MMBV609LT1 NOPB.pdf |