창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52C18LP-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52C5V1LP - BZT52C39LP | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015 | |
PCN 기타 | Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
허용 오차 | ±6.41% | |
전력 - 최대 | 250mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 45옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 12.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 2-UFDFN | |
공급 장치 패키지 | 2-DFN1006(1.0x0.6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZT52C18LP-7-ND BZT52C18LP-7DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52C18LP-7 | |
관련 링크 | BZT52C1, BZT52C18LP-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
CRCW0603127KFKEA | RES SMD 127K OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW0603127KFKEA.pdf | ||
3D215GT2CB12 | 3D215GT2CB12 ORIGINAL QFP | 3D215GT2CB12.pdf | ||
P2200AA61L | P2200AA61L ORIGINAL TO-220 | P2200AA61L.pdf | ||
MB95F106AJWPFV | MB95F106AJWPFV Fujitsu FPT-64P-M03 | MB95F106AJWPFV.pdf | ||
TK71528SC | TK71528SC TOKO SOT-23 | TK71528SC.pdf | ||
LDT0-028K | LDT0-028K MEAS SMD or Through Hole | LDT0-028K.pdf | ||
RC132DC | RC132DC N/A CDIP14 | RC132DC.pdf | ||
8-925-904-956 | 8-925-904-956 ORIGINAL QFP | 8-925-904-956.pdf | ||
APR3012-26BI-TRL | APR3012-26BI-TRL ANPEC SOT23-5 | APR3012-26BI-TRL.pdf | ||
MAX6710LUTT | MAX6710LUTT MXM SMD or Through Hole | MAX6710LUTT.pdf | ||
KBK19T000M-D420 | KBK19T000M-D420 SAMSUNG BGA | KBK19T000M-D420.pdf | ||
TLV2324INE4 | TLV2324INE4 TI DIP14 | TLV2324INE4.pdf |