창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52C18LP-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52C5V1LP - BZT52C39LP | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015 | |
PCN 기타 | Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
허용 오차 | ±6.41% | |
전력 - 최대 | 250mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 45옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 12.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 2-UFDFN | |
공급 장치 패키지 | 2-DFN1006(1.0x0.6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZT52C18LP-7-ND BZT52C18LP-7DITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52C18LP-7 | |
관련 링크 | BZT52C1, BZT52C18LP-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | MMSZ5234BT1G | DIODE ZENER 6.2V 500MW SOD123 | MMSZ5234BT1G.pdf | |
![]() | MV9317SOL-G | MV9317SOL-G MTEKVISION SMD or Through Hole | MV9317SOL-G.pdf | |
![]() | CLB11TA121L-T | CLB11TA121L-T ORIGINAL 3225 | CLB11TA121L-T.pdf | |
![]() | PTC16F505-I/SL | PTC16F505-I/SL MIC SMD or Through Hole | PTC16F505-I/SL.pdf | |
![]() | MVL50VC22RMF80TP | MVL50VC22RMF80TP NIPPON SMD or Through Hole | MVL50VC22RMF80TP.pdf | |
![]() | CP31D-2P/5A | CP31D-2P/5A ORIGINAL SMD or Through Hole | CP31D-2P/5A.pdf | |
![]() | FTD2011A-TL1 | FTD2011A-TL1 SANYO TSSOP8 | FTD2011A-TL1.pdf | |
![]() | NE556DT | NE556DT ST SOP14 | NE556DT.pdf | |
![]() | 4N26_NL | 4N26_NL FSC SOP6 | 4N26_NL.pdf | |
![]() | CL03A104KP3NNN | CL03A104KP3NNN SAMSUNG SMD | CL03A104KP3NNN.pdf | |
![]() | PBK451613T-600Y-N | PBK451613T-600Y-N CHILISIN SMD or Through Hole | PBK451613T-600Y-N.pdf |