창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52C18-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52CV0 - BZT52C51 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 16/Sept/2008 Green Encapsulate 29/Aug/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1577 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 45옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 12.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123 | |
공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZT52C18-FDITR BZT52C187F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52C18-7-F | |
관련 링크 | BZT52C1, BZT52C18-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
MBRB10100-E3/8W | DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB | MBRB10100-E3/8W.pdf | ||
CMF551K0000DHEA | RES 1K OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF551K0000DHEA.pdf | ||
IXBH20N140 | IXBH20N140 IXYS T0-247 | IXBH20N140.pdf | ||
STB40NF10-TR | STB40NF10-TR ST TO-263 | STB40NF10-TR.pdf | ||
TIBPAL16R6-15MWB | TIBPAL16R6-15MWB TIS TIBPAL16R6-15MWB | TIBPAL16R6-15MWB.pdf | ||
IDT89HPES24T6G2ZCALGI | IDT89HPES24T6G2ZCALGI IDT 324BGA(GREEN) | IDT89HPES24T6G2ZCALGI.pdf | ||
74S240 | 74S240 NS DIP | 74S240.pdf | ||
20N80 | 20N80 ORIGINAL TO-3P | 20N80.pdf | ||
95583503F | 95583503F ORIGINAL SMD or Through Hole | 95583503F.pdf | ||
UUR1V470MCR6GS | UUR1V470MCR6GS NICHICON SMD or Through Hole | UUR1V470MCR6GS.pdf | ||
X25080SI-2.7T6 | X25080SI-2.7T6 XICOR SOP8P | X25080SI-2.7T6.pdf | ||
609AF | 609AF ORIGINAL QFN | 609AF.pdf |