창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT52C18-13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZT52CV0 - BZT52C51 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 45옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 12.6V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | BZT52C18-13DITR BZT52C18-13TR BZT52C18DITR BZT52C18DITR-ND BZT52C18TR BZT52C18TR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZT52C18-13 | |
| 관련 링크 | BZT52C, BZT52C18-13 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 5-1879064-6 | 10µF Molded Tantalum Capacitors 35V 2312 (6032 Metric) 1.2 Ohm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | 5-1879064-6.pdf | |
![]() | LQW03AW2N8C00D | 2.8nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 80 mOhm Max Nonstandard | LQW03AW2N8C00D.pdf | |
![]() | AT0805DRD07715RL | RES SMD 715 OHM 0.5% 1/8W 0805 | AT0805DRD07715RL.pdf | |
![]() | CMF50154K00BHEB | RES 154K OHM 1/4W .1% AXIAL | CMF50154K00BHEB.pdf | |
![]() | BD596 | BD596 AEG/MOT SMD or Through Hole | BD596.pdf | |
![]() | SBE002-TL | SBE002-TL SANYO CPH6 | SBE002-TL.pdf | |
![]() | M36DR432A-120ZA6 | M36DR432A-120ZA6 ST BGA | M36DR432A-120ZA6.pdf | |
![]() | TS-1NMB/TS-1AMB | TS-1NMB/TS-1AMB NICERA DIP-4 | TS-1NMB/TS-1AMB.pdf | |
![]() | BB181 /N | BB181 /N NXP SMD or Through Hole | BB181 /N.pdf | |
![]() | HA17385SRP | HA17385SRP RENEASA SOP | HA17385SRP.pdf | |
![]() | LT1066I | LT1066I LINEAR SMD | LT1066I.pdf | |
![]() | DTA114EBT2L | DTA114EBT2L ROHM SMD or Through Hole | DTA114EBT2L.pdf |