창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52C16-13-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52C2V0-BZT52C51 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 16V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 40옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 11.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123 | |
공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | BZT52C16-13-FDI | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52C16-13-F | |
관련 링크 | BZT52C1, BZT52C16-13-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | CGA4J3X8R1E474M125AD | 0.47µF 25V 세라믹 커패시터 X8R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CGA4J3X8R1E474M125AD.pdf | |
![]() | ABLS-48.000MHZ-B2-T | 48MHz ±20ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ABLS-48.000MHZ-B2-T.pdf | |
![]() | DDZ18CS-7 | DIODE ZENER 18V 200MW SOD323 | DDZ18CS-7.pdf | |
![]() | ADC-10-4+ | ADC-10-4+ ORIGINAL SMD or Through Hole | ADC-10-4+.pdf | |
![]() | SM04PCN085 | SM04PCN085 WESTCODE STUD | SM04PCN085.pdf | |
![]() | CY7C128--35DMB | CY7C128--35DMB CYPRESS CDIP | CY7C128--35DMB.pdf | |
![]() | UPD82644GD-002 | UPD82644GD-002 NEC QFP | UPD82644GD-002.pdf | |
![]() | 25128AN | 25128AN ORIGINAL SOP-8 | 25128AN.pdf | |
![]() | LX911B | LX911B ORIGINAL TO-92 | LX911B.pdf | |
![]() | H836BH | H836BH SAMSUNG SMD or Through Hole | H836BH.pdf | |
![]() | SKD145/16E | SKD145/16E SEMIKRON SMD or Through Hole | SKD145/16E.pdf |