창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52C13LP-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52C5V1LP - BZT52C39LP | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1578 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 13V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 250mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 30옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 2-UFDFN | |
공급 장치 패키지 | 2-DFN1006(1.0x0.6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZT52C13LP-7-F BZT52C13LP-FDITR BZT52C13LP-FDITR-ND BZT52C13LP7 BZT52C13LPDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52C13LP-7 | |
관련 링크 | BZT52C1, BZT52C13LP-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | D222K25Y5PH63L6 | 2200pF 100V 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.256" Dia(6.50mm) | D222K25Y5PH63L6.pdf | |
![]() | 3JS 300-R TR | FUSE GLASS 300MA 350VAC 140VDC | 3JS 300-R TR.pdf | |
![]() | VS-104MT160KPBF | MOD 3-PH SWITCH 100A 1600V MTK | VS-104MT160KPBF.pdf | |
![]() | Q1010BPQ100C | Q1010BPQ100C ACT QFP-100 | Q1010BPQ100C.pdf | |
![]() | STC10F02 | STC10F02 STC PDIP40 LQFP PLCC | STC10F02.pdf | |
![]() | RD4.3P-T2 | RD4.3P-T2 NEC SOT-89 | RD4.3P-T2.pdf | |
![]() | BSD-1.8W3R0D | BSD-1.8W3R0D BELLNIX SMD or Through Hole | BSD-1.8W3R0D.pdf | |
![]() | C1608CH1A225M | C1608CH1A225M TDK SMD | C1608CH1A225M.pdf | |
![]() | TC511664Z-80 | TC511664Z-80 TOS N A | TC511664Z-80.pdf | |
![]() | SN75448DE4 | SN75448DE4 TI SOP8 | SN75448DE4.pdf |