창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT52C12LP-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZT52C5V1LP - BZT52C39LP | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 12V | |
| 허용 오차 | ±5.39% | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 25옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-UFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 2-DFN1006(1.0x0.6) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZT52C12LP-7-ND BZT52C12LP-7DITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZT52C12LP-7 | |
| 관련 링크 | BZT52C1, BZT52C12LP-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
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![]() | MT4LC1M16E5DJ-5 | MT4LC1M16E5DJ-5 MICRON SOJ | MT4LC1M16E5DJ-5.pdf | |
![]() | 98730-80057 | 98730-80057 AMD DIP20 | 98730-80057.pdf | |
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![]() | RLZ TE-11 16B(16V) | RLZ TE-11 16B(16V) ROHM SMD or Through Hole | RLZ TE-11 16B(16V).pdf | |
![]() | 16F684-E/ST | 16F684-E/ST MICROCHIP SMTDIP | 16F684-E/ST.pdf |