창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52C11LP-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52C5V1LP - BZT52C39LP | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 11/Nov/2011 DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 11V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 250mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 20옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 2-UFDFN | |
공급 장치 패키지 | 2-DFN1006(1.0x0.6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZT52C11LP-7-F BZT52C11LP-FDITR BZT52C11LP-FDITR-ND BZT52C11LP7 BZT52C11LPDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52C11LP-7 | |
관련 링크 | BZT52C1, BZT52C11LP-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
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![]() | ECS-221-18-5PXEN-TR | 22.1184MHz ±30ppm 수정 18pF 30옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ECS-221-18-5PXEN-TR.pdf | |
![]() | ESR10EZPF1472 | RES SMD 14.7K OHM 1% 0.4W 0805 | ESR10EZPF1472.pdf | |
![]() | 18874.000KHZ | 18874.000KHZ KSS SMD or Through Hole | 18874.000KHZ.pdf | |
![]() | 2SC1772 | 2SC1772 N/A TO-220 | 2SC1772.pdf | |
![]() | OP77GBC | OP77GBC AD SMD or Through Hole | OP77GBC.pdf | |
![]() | STEVAL-MKI110V1 | STEVAL-MKI110V1 ST Call | STEVAL-MKI110V1.pdf | |
![]() | OVO7649-KL6A | OVO7649-KL6A ORIGINAL SMD or Through Hole | OVO7649-KL6A.pdf | |
![]() | MBR20H150 | MBR20H150 FAIRCHILD TO-220 | MBR20H150.pdf | |
![]() | CX24171-03AZP | CX24171-03AZP CONEXANT BGA | CX24171-03AZP.pdf | |
![]() | WM3945AGM1GEN872612 | WM3945AGM1GEN872612 INTEL SMD or Through Hole | WM3945AGM1GEN872612.pdf |