창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52C11-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52CV0 - BZT52C51 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 16/Sept/2008 Green Encapsulate 29/Aug/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1577 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 11V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 20옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123 | |
공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZT52C11-FDITR BZT52C117F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52C11-7-F | |
관련 링크 | BZT52C1, BZT52C11-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | SIT9003AC-2-25SO | 1MHz ~ 110MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 4.1mA Standby | SIT9003AC-2-25SO.pdf | |
![]() | MUR180EG | DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL | MUR180EG.pdf | |
![]() | SWI0603CTR22J | SWI0603CTR22J AOBA SMD or Through Hole | SWI0603CTR22J.pdf | |
![]() | CSACW4800MX41040-T | CSACW4800MX41040-T MURATA SMD or Through Hole | CSACW4800MX41040-T.pdf | |
![]() | XJMZ-C3R12A | XJMZ-C3R12A ORIGINAL SMD or Through Hole | XJMZ-C3R12A.pdf | |
![]() | 72V3650L10PFG8 | 72V3650L10PFG8 IDT QFP | 72V3650L10PFG8.pdf | |
![]() | IMP/23 | IMP/23 PHILIPS SOT-23 | IMP/23.pdf | |
![]() | CDG6643 | CDG6643 AIRBORN SMD or Through Hole | CDG6643.pdf | |
![]() | HD64F2238BP | HD64F2238BP HITACHI BGA-112P | HD64F2238BP.pdf | |
![]() | MIC37150-1.5WR TR | MIC37150-1.5WR TR MICREL NA | MIC37150-1.5WR TR.pdf | |
![]() | PJSOT03C-05 | PJSOT03C-05 PANJIT SOT-23 | PJSOT03C-05.pdf |