창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT52C10-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZT52CV0 - BZT52C51 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Bond Wire 16/Sept/2008 Green Encapsulate 29/Aug/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 01/Jun/2015 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1577 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 10V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 20옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 200nA @ 7V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZT52C10-7-FDITR BZT52C10-7-FDITR-ND BZT52C10-FDITR BZT52C107F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZT52C10-7-F | |
| 관련 링크 | BZT52C1, BZT52C10-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 3404.2414.11 | FUSE BRD MNT 630MA 277VAC 250VDC | 3404.2414.11.pdf | |
![]() | FR305TA | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | FR305TA.pdf | |
![]() | MN103005AAA | MN103005AAA PANAS QFP | MN103005AAA.pdf | |
![]() | C106QG | C106QG ON TO-126 | C106QG.pdf | |
![]() | CS16LV20493GI-55 | CS16LV20493GI-55 CHIPLUS TSOP2-44 | CS16LV20493GI-55.pdf | |
![]() | FT5306 | FT5306 FT QFN48 | FT5306.pdf | |
![]() | RB520S-30FJ TR61 | RB520S-30FJ TR61 ROHM SMD or Through Hole | RB520S-30FJ TR61.pdf | |
![]() | TCSCS0J107MBAR | TCSCS0J107MBAR SAMSUNG SMD or Through Hole | TCSCS0J107MBAR.pdf | |
![]() | N133IGE(AB133000401E) | N133IGE(AB133000401E) CHIMEI SMD or Through Hole | N133IGE(AB133000401E).pdf | |
![]() | LC74763M-9184-TLM | LC74763M-9184-TLM ORIGINAL SMD | LC74763M-9184-TLM.pdf | |
![]() | MS120T/R | MS120T/R PANJIT SMADO-214AC | MS120T/R.pdf |