창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52B4V3-G3-08 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52-G Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 410mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | - | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123 | |
공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52B4V3-G3-08 | |
관련 링크 | BZT52B4V3, BZT52B4V3-G3-08 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | B82733F2142B1 | 27mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 1.4A DCR 440 mOhm (Typ) | B82733F2142B1.pdf | |
![]() | LE82G35/SLAJJ | LE82G35/SLAJJ INTEL BGA | LE82G35/SLAJJ.pdf | |
![]() | MAX986EUK+T | MAX986EUK+T MAXIM SOT153 | MAX986EUK+T.pdf | |
![]() | BU4530AU | BU4530AU ORIGINAL SMD or Through Hole | BU4530AU.pdf | |
![]() | DS1815-20+ | DS1815-20+ MaximIntegratedProducts Bag | DS1815-20+.pdf | |
![]() | RD9.1ET2 | RD9.1ET2 NEC SMD or Through Hole | RD9.1ET2.pdf | |
![]() | SFF640 | SFF640 semiwell TO220F | SFF640.pdf | |
![]() | XC2V500-6FGG456I | XC2V500-6FGG456I XILINX BGA456 | XC2V500-6FGG456I.pdf | |
![]() | CEV6030L | CEV6030L ORIGINAL TO-252 | CEV6030L.pdf | |
![]() | K7R323682C-FC20 | K7R323682C-FC20 SAMSUNG BGA | K7R323682C-FC20.pdf | |
![]() | K521H12ACD-B050 | K521H12ACD-B050 SAMSUNG FBGA | K521H12ACD-B050.pdf | |
![]() | EKMH800VSN222MA25T | EKMH800VSN222MA25T NIPPONCHEMI-COM DIP | EKMH800VSN222MA25T.pdf |