창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZG03C16TR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZG03C Series | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 16V | |
허용 오차 | - | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 12V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 500mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AC, SMA | |
공급 장치 패키지 | DO-214AC | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZG03C16TR | |
관련 링크 | BZG03C, BZG03C16TR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | SR155A102FAATR2 | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR155A102FAATR2.pdf | |
![]() | ECH-U1H223JB5 | 0.022µF Film Capacitor 50V Polyphenylene Sulfide (PPS), Metallized - Stacked 1210 (3225 Metric) 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) | ECH-U1H223JB5.pdf | |
CB2016T6R8M | 6.8µH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 455 mOhm Max 0806 (2016 Metric) | CB2016T6R8M.pdf | ||
![]() | RG1608N-6490-B-T5 | RES SMD 649 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RG1608N-6490-B-T5.pdf | |
![]() | MBA02040C6044FC100 | RES 6.04M OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C6044FC100.pdf | |
![]() | CMF558R6000FLR6 | RES 8.6 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF558R6000FLR6.pdf | |
![]() | D4168C | D4168C HEFBT SMD or Through Hole | D4168C.pdf | |
![]() | AD5204BRZ100 | AD5204BRZ100 ANALOGDEVICES SMD or Through Hole | AD5204BRZ100.pdf | |
![]() | M27C51290NI | M27C51290NI SGSTHOMSON SMD or Through Hole | M27C51290NI.pdf | |
![]() | S2000A3 | S2000A3 TOSHIBA TO-3P | S2000A3.pdf | |
![]() | FAR-D5JB-881M50-D3AA | FAR-D5JB-881M50-D3AA ORIGINAL SMD or Through Hole | FAR-D5JB-881M50-D3AA.pdf | |
![]() | CXS2100-51 | CXS2100-51 SONY SMD or Through Hole | CXS2100-51.pdf |