창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZD17C43P-E3-08 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZD17C3V6P thru BZD17C200P | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 43V | |
허용 오차 | - | |
전력 - 최대 | 800mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 33V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-219AB | |
공급 장치 패키지 | DO-219AB(SMF) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZD17C43P-E3-08 | |
관련 링크 | BZD17C43P, BZD17C43P-E3-08 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | CGA6M3X8R2A474K200AB | 0.47µF 100V 세라믹 커패시터 X8R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | CGA6M3X8R2A474K200AB.pdf | |
![]() | CC0805DRNPO9BN6R8 | 6.8pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CC0805DRNPO9BN6R8.pdf | |
![]() | C0603C680J4GACTU | 68pF 16V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C680J4GACTU.pdf | |
![]() | MLG1608B10NJT000 | 10nH Unshielded Multilayer Inductor 600mA 200 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | MLG1608B10NJT000.pdf | |
![]() | SKY67001-396LF-EVB | RF EVAL FOR SKY67001-396LF | SKY67001-396LF-EVB.pdf | |
![]() | CH408 | CH408 CHRONTEL DIP | CH408.pdf | |
![]() | 2N6025. | 2N6025. ON/FSC TO-126 | 2N6025..pdf | |
![]() | SKKD201/20H4 | SKKD201/20H4 SEMIKRON MODULE | SKKD201/20H4.pdf | |
![]() | S-5711ANDLM3T1S | S-5711ANDLM3T1S Seiko SMD or Through Hole | S-5711ANDLM3T1S.pdf | |
![]() | N80802ABB | N80802ABB INTEL PLCC | N80802ABB.pdf | |
![]() | MA-306 29.4912M-C0 | MA-306 29.4912M-C0 ORIGINAL SMD or Through Hole | MA-306 29.4912M-C0.pdf | |
![]() | R5F212C8SNFP#U0 | R5F212C8SNFP#U0 RENSAS QFP | R5F212C8SNFP#U0.pdf |