창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZB784-C6V2,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZB784 Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
구성 | 공통 양극 1쌍 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 180mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 934056306115 BZB784-C6V2 T/R BZB784-C6V2 T/R-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZB784-C6V2,115 | |
관련 링크 | BZB784-C6, BZB784-C6V2,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | EEV-FK0J470UR | 47µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 105°C | EEV-FK0J470UR.pdf | |
![]() | VJ1808Y821KBRAT4X | 820pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 X7R 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808Y821KBRAT4X.pdf | |
![]() | CMF60392K00FHBF | RES 392K OHM 1W 1% AXIAL | CMF60392K00FHBF.pdf | |
![]() | MS16MO-L1 | MS16MO-L1 NEC BGA | MS16MO-L1.pdf | |
![]() | LQLBC2518T1R0M | LQLBC2518T1R0M ORIGINAL SMD or Through Hole | LQLBC2518T1R0M.pdf | |
![]() | SN74VC1G125DBVR | SN74VC1G125DBVR TI SOT23 | SN74VC1G125DBVR.pdf | |
![]() | DDY-CJS-T2 | DDY-CJS-T2 DOMINAT ROHS | DDY-CJS-T2.pdf | |
![]() | 2SC4211 R6-TL | 2SC4211 R6-TL SANYO SOT-323 | 2SC4211 R6-TL.pdf | |
![]() | 3225,5032,6 | 3225,5032,6 ORIGINAL SMD or Through Hole | 3225,5032,6.pdf | |
![]() | RH80535GC0211M(SL6F9) | RH80535GC0211M(SL6F9) INTEL SMD or Through Hole | RH80535GC0211M(SL6F9).pdf | |
![]() | BVB0641RB G BVB 0641RB G | BVB0641RB G BVB 0641RB G ORIGINAL SMD or Through Hole | BVB0641RB G BVB 0641RB G.pdf | |
![]() | ADOX | ADOX ORIGINAL 5 SOT-23 | ADOX.pdf |