창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BYW83TAP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BYW82-86 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 애벌란시 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 400V | |
전류 -평균 정류(Io) | 3A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1V @ 3A | |
속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 7.5µs | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 400V | |
정전 용량 @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | SOD-64, 축방향 | |
공급 장치 패키지 | SOD-64 | |
작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 175°C | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BYW83TAP | |
관련 링크 | BYW8, BYW83TAP 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
UFS315GE3/TR13 | DIODE GEN PURP 150V 3A DO215AB | UFS315GE3/TR13.pdf | ||
1110-151K-RC | 150µH Unshielded Wirewound Inductor 1.6A 181 mOhm Max Radial | 1110-151K-RC.pdf | ||
T30F04 | T30F04 ORIGINAL SMD or Through Hole | T30F04.pdf | ||
1N6386 | 1N6386 VISHAY DO-201AD | 1N6386.pdf | ||
K4T56083QF-GCD5 | K4T56083QF-GCD5 SAMSUNG BGA | K4T56083QF-GCD5.pdf | ||
52264803CA | 52264803CA INTEL PGA | 52264803CA.pdf | ||
DIB7070-MC | DIB7070-MC DIBC SMD or Through Hole | DIB7070-MC.pdf | ||
85HFLR60S05 | 85HFLR60S05 IR SMD or Through Hole | 85HFLR60S05.pdf | ||
SFECP10M7FA00-R0 | SFECP10M7FA00-R0 MURATA SMD or Through Hole | SFECP10M7FA00-R0.pdf |