창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BYW51-200G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BYW51-200 | |
| PCN 설계/사양 | TO-220 Case Outline Update 18/Sep/2014 | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 13/Oct/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | SWITCHMODE™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 8A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 970mV @ 8A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 35ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 200V | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | BYW51-200G-ND BYW51-200GOS BYW51200G | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BYW51-200G | |
| 관련 링크 | BYW51-, BYW51-200G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | HMC507LP5TR | RF Amplifier IC VSAT 6.65GHz ~ 7.65GHz 32-QFN (5x5) | HMC507LP5TR.pdf | |
![]() | CSACV27.00MXJ040-T | CSACV27.00MXJ040-T MURATA 3.1 3.7 3P | CSACV27.00MXJ040-T.pdf | |
![]() | upd78f9306gk9et | upd78f9306gk9et ORIGINAL SMD or Through Hole | upd78f9306gk9et.pdf | |
![]() | APL5308-30 | APL5308-30 ANPEC SOT-23 | APL5308-30.pdf | |
![]() | 27M5*7 | 27M5*7 HXO-B SMD or Through Hole | 27M5*7.pdf | |
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![]() | ESVA1C225M | ESVA1C225M NEC SMD | ESVA1C225M.pdf | |
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![]() | PT28-1464H | PT28-1464H PPT SMD or Through Hole | PT28-1464H.pdf |