창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BYV32EB-200,118 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BYV32(E,EB) Series | |
| PCN 조립/원산지 | SOT404 Leadframe Suppliers 04/Jun/2014 | |
| PCN 기타 | Joint Venture Company 09/Aug/2015 Joint Venture Revision 07/Aug/2015 | |
| PCN 부품 상태 변경 | Part Status Conversion 22/Nov/2015 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1504 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 20A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.15V @ 20A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 25ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 30µA @ 200V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | 568-3436-2 934041010118 BYV32EB-200 /T3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BYV32EB-200,118 | |
| 관련 링크 | BYV32EB-2, BYV32EB-200,118 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
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![]() | TL-W3MC1 5M | Inductive Proximity Sensor 0.118" (3mm) IP67 Module | TL-W3MC1 5M.pdf | |
![]() | MMSZ5250BLT1 TEL:82766440 | MMSZ5250BLT1 TEL:82766440 MOTOROLA SOD123 | MMSZ5250BLT1 TEL:82766440.pdf | |
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![]() | 1990-0693 | 1990-0693 hp/Agilent DIP | 1990-0693.pdf | |
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![]() | PESD24VL1BA115 | PESD24VL1BA115 NXP SMD or Through Hole | PESD24VL1BA115.pdf | |
![]() | UPD178F124GC-8BT | UPD178F124GC-8BT NEC QFP | UPD178F124GC-8BT.pdf | |
![]() | FRD25T5103J | FRD25T5103J RIVER SMD or Through Hole | FRD25T5103J.pdf | |
![]() | 10SVP33OM | 10SVP33OM SANYO SMD or Through Hole | 10SVP33OM.pdf |