창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BYV32-200G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BYV32-200 | |
| PCN 설계/사양 | TO-220 Case Outline Update 18/Sep/2014 | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Addition 13/Oct/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | SWITCHMODE™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 8A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.15V @ 20A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 35ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50µA @ 200V | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | BYV32-200G-ND BYV32-200GOS BYV32200G | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BYV32-200G | |
| 관련 링크 | BYV32-, BYV32-200G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | SIT8918BE-13-33E-24.540000E | OSC XO 3.3V 24.54MHZ OE | SIT8918BE-13-33E-24.540000E.pdf | |
![]() | RG1608P-9311-W-T5 | RES SMD 9.31K OHM 1/10W 0603 | RG1608P-9311-W-T5.pdf | |
![]() | TNPW201062K0BEEY | RES SMD 62K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW201062K0BEEY.pdf | |
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![]() | XC3042A-7QT144C | XC3042A-7QT144C ORIGINAL SMD or Through Hole | XC3042A-7QT144C.pdf | |
![]() | NVP1104B | NVP1104B NEXTCHIP QFP | NVP1104B.pdf | |
![]() | E25/10/6-3C90-A250 | E25/10/6-3C90-A250 FERROX SMD or Through Hole | E25/10/6-3C90-A250.pdf | |
![]() | LFE2M100E5FN900I | LFE2M100E5FN900I LATTICE SMD or Through Hole | LFE2M100E5FN900I.pdf | |
![]() | 2200uf25v16x16 | 2200uf25v16x16 ELNA SMD or Through Hole | 2200uf25v16x16.pdf | |
![]() | XC2S150EFT256-6Q | XC2S150EFT256-6Q ORIGINAL BGA | XC2S150EFT256-6Q.pdf | |
![]() | UPC29M05AT-E2 | UPC29M05AT-E2 NEC SOT-252 | UPC29M05AT-E2.pdf | |
![]() | EKMH800VQT562MB35T | EKMH800VQT562MB35T NIPPONCHEMI-COM DIP | EKMH800VQT562MB35T.pdf |