창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BYQ30E-200,127 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BYQ30E-200 | |
PCN 기타 | Joint Venture Revision 07/Aug/2015 | |
PCN 부품 상태 변경 | Part Status Conversion 22/Nov/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 16A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.25V @ 16A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 25ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 30µA @ 200V | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 934053870127 BYQ30E-200 BYQ30E-200-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BYQ30E-200,127 | |
관련 링크 | BYQ30E-2, BYQ30E-200,127 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | 445W32K12M00000 | 12MHz ±30ppm 수정 8pF 50옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W32K12M00000.pdf | |
![]() | SIT2001BI-S1-33N-16.000000E | OSC XO 3.3V 16MHZ NC | SIT2001BI-S1-33N-16.000000E.pdf | |
![]() | RT1210BRD071K21L | RES SMD 1.21K OHM 0.1% 1/4W 1210 | RT1210BRD071K21L.pdf | |
![]() | 64CW2 | 64CW2 BI SMD or Through Hole | 64CW2.pdf | |
![]() | LRF2010-01-R010-F | LRF2010-01-R010-F IRC SMD | LRF2010-01-R010-F.pdf | |
![]() | 230IB63-1Q | 230IB63-1Q ORIGINAL SMD or Through Hole | 230IB63-1Q.pdf | |
![]() | CD74HC107E | CD74HC107E ORIGINAL DIP | CD74HC107E.pdf | |
![]() | TAA2762 | TAA2762 SIEMENS DIP-8 | TAA2762.pdf | |
![]() | APU1175 | APU1175 APEC SMD or Through Hole | APU1175.pdf | |
![]() | RE3-450V010MG3 | RE3-450V010MG3 ELNA DIP | RE3-450V010MG3.pdf | |
![]() | SI2417-B-FTR | SI2417-B-FTR SILICON TSSOP | SI2417-B-FTR.pdf | |
![]() | VCA824ID | VCA824ID TI SMD or Through Hole | VCA824ID.pdf |