창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BYG22B-E3/TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BYG22A thru BYG22D Packaging Information | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 애벌란시 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 2A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 2A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 25ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 100V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-214AC, SMA | |
| 공급 장치 패키지 | DO-214AC(SMA) | |
| 작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 1,800 | |
| 다른 이름 | BYG22B-E3/TR-ND BYG22BE3TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BYG22B-E3/TR | |
| 관련 링크 | BYG22B-, BYG22B-E3/TR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | P1166.274NLT | 270µH Shielded Wirewound Inductor 320mA 1.75 Ohm Max Nonstandard | P1166.274NLT.pdf | |
![]() | Y00078K55000T0L | RES 8.55K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y00078K55000T0L.pdf | |
![]() | PAC560-JR6GQ | PAC560-JR6GQ CMD QSOP24 | PAC560-JR6GQ.pdf | |
![]() | M29W640GT70NA6F | M29W640GT70NA6F NUMONYXASIAPACIFIC SMD or Through Hole | M29W640GT70NA6F.pdf | |
![]() | BT3414 | BT3414 BT SOP8 | BT3414.pdf | |
![]() | TA8315 | TA8315 TOS ZIP | TA8315.pdf | |
![]() | C752001AH12MCN1A1H | C752001AH12MCN1A1H Amphenol SMD or Through Hole | C752001AH12MCN1A1H.pdf | |
![]() | 6R6D50A-050 | 6R6D50A-050 FUJI SMD or Through Hole | 6R6D50A-050.pdf | |
![]() | 856657 | 856657 TRIQUINT 3.0x3.0 | 856657.pdf | |
![]() | T6D09MTR-0105 | T6D09MTR-0105 CANON NM | T6D09MTR-0105.pdf | |
![]() | CLK15080 | CLK15080 SanRex SMD or Through Hole | CLK15080.pdf | |
![]() | SQ4D01950B2JJA | SQ4D01950B2JJA SAMSUNG CRYSTAL-SMD | SQ4D01950B2JJA.pdf |