홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 다이오드, 정류기 - 단일 » BYC8B-600PQP

NXP Semiconductors BYC8B-600PQP

BYC8B-600PQP
제조업체 부품 번호
BYC8B-600PQP
제조업 자
제품 카테고리
다이오드, 정류기 - 단일
간단한 설명
DIODE GEN PURP 600V 8A
데이터 시트 다운로드
다운로드
BYC8B-600PQP 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 BYC8B-600PQP 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. BYC8B-600PQP 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. BYC8B-600PQP가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
BYC8B-600PQP 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
BYC8B-600PQP 매개 변수
내부 부품 번호EIS-BYC8B-600PQP
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BYC8B-600P
종류이산 소자 반도체 제품
제품군다이오드, 정류기 - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황견적 필요
다이오드 유형표준
전압 - DC 역방향(Vr)(최대)600V
전류 -평균 정류(Io)8A
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If3.4V @ 8A
속도고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io)
역회복 시간(trr)18ns
전류 - 역누설 @ Vr20µA @ 600V
정전 용량 @ Vr, F-
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지D2PAK
작동 온도 - 접합175°C(최대)
표준 포장 800
다른 이름934068322116
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)BYC8B-600PQP
관련 링크BYC8B-6, BYC8B-600PQP 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
BYC8B-600PQP 의 관련 제품
1200pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) C1206C122J5RACTU.pdf
DIODE GEN PURP 600V 87A SOT227 VS-UFB130FA60.pdf
MOSFET N-CH 800V 6.6A TO-220F FQPF7N80C.pdf
2 Line Common Mode Choke Surface Mount 120 Ohm @ 100MHz 370mA DCR 220 mOhm ACM2012-121-2P-T001.pdf
V23076A3001D142T 1393278-2.pdf
RES SMD 80.6 OHM 1% 1/8W 0805 RT0805FRE0780R6L.pdf
RES 402 OHM 1/4W 1% AXIAL CMF50402R00FHEB.pdf
245605024000829+ KYOCERA SMD 245605024000829+.pdf
IMP1816 MOT NULL IMP1816.pdf
SE5561FE883 PHI DIP SE5561FE883.pdf
MBK23CXS SIS SMD or Through Hole MBK23CXS.pdf