창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BYC8B-600PJ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BYC8B-600P | |
| 주요제품 | SABER Power Diodes and Rectifiers Solution | |
| PCN 기타 | Joint Venture Company 09/Aug/2015 Joint Venture Revision 07/Aug/2015 | |
| PCN 부품 상태 변경 | Part Status Conversion 22/Nov/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 600V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 8A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 3.4V @ 8A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 18ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 20µA @ 600V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 작동 온도 - 접합 | 175°C(최대) | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | 568-11655-2 568-11655-ND 934068322118 BYC8B-600PJ-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BYC8B-600PJ | |
| 관련 링크 | BYC8B-, BYC8B-600PJ 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | MMBZ5250B-7-F | DIODE ZENER 20V 350MW SOT23-3 | MMBZ5250B-7-F.pdf | |
![]() | 51R0 | 51R0 MURATA SMD or Through Hole | 51R0.pdf | |
![]() | M6GJ47 | M6GJ47 TOS TO-220F | M6GJ47.pdf | |
![]() | AT45DB081B-CC-2.5 | AT45DB081B-CC-2.5 Atmel 14-CBGA | AT45DB081B-CC-2.5.pdf | |
![]() | FGA120N30 | FGA120N30 FAIRCHILD TO-3P | FGA120N30.pdf | |
![]() | 25V100UF | 25V100UF GSK SMD or Through Hole | 25V100UF.pdf | |
![]() | R478XHA | R478XHA EPCOS SMD or Through Hole | R478XHA.pdf | |
![]() | LXV63VB121M10X20LL | LXV63VB121M10X20LL NIPPON DIP | LXV63VB121M10X20LL.pdf | |
![]() | 412RP | 412RP STM TSSOP8 | 412RP.pdf | |
![]() | ZK4ATR | ZK4ATR MALAYSIA SMD or Through Hole | ZK4ATR.pdf | |
![]() | 61NT1-8 | 61NT1-8 Honeywell SMD or Through Hole | 61NT1-8.pdf | |
![]() | LM358D.602 | LM358D.602 NXP/PH SMD or Through Hole | LM358D.602.pdf |