창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BUZ80A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BUZ80A | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | SIPMOS® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1350pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 100W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | BUZ80AIN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BUZ80A | |
| 관련 링크 | BUZ, BUZ80A 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | RT0402FRD0711KL | RES SMD 11K OHM 1% 1/16W 0402 | RT0402FRD0711KL.pdf | |
![]() | CPW0533R00JB14 | RES 33 OHM 5W 5% AXIAL | CPW0533R00JB14.pdf | |
![]() | DM54LS260DMQB | DM54LS260DMQB NS DIP | DM54LS260DMQB.pdf | |
![]() | P0250.154NL | P0250.154NL Pulse SMD | P0250.154NL.pdf | |
![]() | R5JB | R5JB NS SOT23-5 | R5JB.pdf | |
![]() | EP3C55F484I6 | EP3C55F484I6 ALTERA BGA | EP3C55F484I6.pdf | |
![]() | OMAP2531BZAC | OMAP2531BZAC ORIGINAL BGA | OMAP2531BZAC.pdf | |
![]() | ts08P-Q | ts08P-Q ORIGINAL SMD or Through Hole | ts08P-Q.pdf | |
![]() | GZ1608D800T | GZ1608D800T CN O603 | GZ1608D800T.pdf | |
![]() | LQP18MN1N5C02 | LQP18MN1N5C02 MURATA SMD or Through Hole | LQP18MN1N5C02.pdf | |
![]() | TQ-5135 | TQ-5135 TRIQUINT QFN | TQ-5135.pdf | |
![]() | PC3SD12YVZAF | PC3SD12YVZAF SHARPSEMICONDUCTO SMD or Through Hole | PC3SD12YVZAF.pdf |