창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BUZ80A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BUZ80A | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | SIPMOS® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1350pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 100W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | BUZ80AIN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BUZ80A | |
관련 링크 | BUZ, BUZ80A 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | CGA4J3X7R1C475K125AB | 4.7µF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CGA4J3X7R1C475K125AB.pdf | |
![]() | RC0603DR-07191RL | RES SMD 191 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RC0603DR-07191RL.pdf | |
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![]() | H4P681RDZA | RES 681 OHM 1W 0.5% AXIAL | H4P681RDZA.pdf | |
![]() | CTIS1M16-H | CTIS1M16-H CTI TSOP | CTIS1M16-H.pdf | |
![]() | LTC1871EMS-1/LTC1871IMS-1 | LTC1871EMS-1/LTC1871IMS-1 LT MSOP10 | LTC1871EMS-1/LTC1871IMS-1.pdf | |
![]() | TGA4600 | TGA4600 Triquint SMD or Through Hole | TGA4600.pdf | |
![]() | IPS184 | IPS184 PHILIPS SOT23 | IPS184.pdf | |
![]() | PCR-SIN-15V48F00 | PCR-SIN-15V48F00 POWERDSIN SMD or Through Hole | PCR-SIN-15V48F00.pdf | |
![]() | TAJC225K035SZS | TAJC225K035SZS AVX C | TAJC225K035SZS.pdf | |
![]() | FDVE0630-R82=P3 FDV0603-R82 | FDVE0630-R82=P3 FDV0603-R82 ORIGINAL SMD or Through Hole | FDVE0630-R82=P3 FDV0603-R82.pdf |