Infineon Technologies BUZ32 H

BUZ32 H
제조업체 부품 번호
BUZ32 H
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
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내부 부품 번호EIS-BUZ32 H
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BUZ32 H
PCN 단종/ EOLMultiple Devices 30/Aug/2013
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열SIPMOS®
포장튜브
부품 현황단종
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)200V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C9.5A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs400m옴 @ 6A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds530pF @ 25V
전력 - 최대75W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지PG-TO220-3
표준 포장 500
다른 이름BUZ32H
BUZ32HXKSA1
SP000682998
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)BUZ32 H
관련 링크BUZ3, BUZ32 H 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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