창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BUK9Y6R0-60E,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BUK9Y6R0-60E,115 | |
PCN 조립/원산지 | TrenchMOS Silicon Process 19/Sep/2014 Wafer Fab Site Transfer 15/Dec/2014 | |
PCN 포장 | Lighter Reel Update 29/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.2m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 39.4nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6319pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 195W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK | |
공급 장치 패키지 | LFPAK, 전원-SO8 | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | 568-10984-2 934067018115 BUK9Y6R0-60E,115-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BUK9Y6R0-60E,115 | |
관련 링크 | BUK9Y6R0-, BUK9Y6R0-60E,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
DMN62D0UW-7 | MOSFET N-CH 60V 0.34A | DMN62D0UW-7.pdf | ||
G2A-432A-D5-M DC110 | RELAY GENERAL PURPOSE | G2A-432A-D5-M DC110.pdf | ||
EWT50JB15K0 | RES CHAS MNT 15K OHM 5% 50W | EWT50JB15K0.pdf | ||
P51-300-A-I-D-5V-000-000 | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Absolute Male - 7/16" (11.11mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-300-A-I-D-5V-000-000.pdf | ||
SM1105-GBB1S-ET | SM1105-GBB1S-ET NPC SOP-8 | SM1105-GBB1S-ET.pdf | ||
HN1A01FE-GR | HN1A01FE-GR TOSHIBA SOT563 | HN1A01FE-GR.pdf | ||
HM6147R | HM6147R ORIGINAL DIP | HM6147R.pdf | ||
MC9S08AC48CFGER | MC9S08AC48CFGER freescale LQFP 44 10 10 1.4P0. | MC9S08AC48CFGER.pdf | ||
PI3LVD512ZFE | PI3LVD512ZFE PERICOM QFN | PI3LVD512ZFE.pdf | ||
RT9011GSPQV | RT9011GSPQV RICHTEK SMD or Through Hole | RT9011GSPQV.pdf | ||
SPX5205M5-5 | SPX5205M5-5 SIPEX SOP | SPX5205M5-5.pdf | ||
5P30L | 5P30L ORIGINAL QFP | 5P30L.pdf |