창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BUK9Y41-80E,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BUK9Y41-80E,115 | |
PCN 조립/원산지 | TrenchMOS Silicon Process 19/Sep/2014 Wafer Fab Site Transfer 15/Dec/2014 | |
PCN 포장 | Lighter Reel Update 29/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 41m옴 @ 5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11.9nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1570pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 64W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK | |
공급 장치 패키지 | LFPAK, 전원-SO8 | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | 568-10980-2 934067032115 BUK9Y41-80E,115-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BUK9Y41-80E,115 | |
관련 링크 | BUK9Y41-8, BUK9Y41-80E,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | 0252.375M | FUSE BOARD MNT 375MA 125VAC/VDC | 0252.375M.pdf | |
![]() | MPLAD30KP16CA | TVS DIODE 16VWM 27.2VC PLAD | MPLAD30KP16CA.pdf | |
![]() | RT0603CRD0778K7L | RES SMD 78.7K OHM 1/10W 0603 | RT0603CRD0778K7L.pdf | |
![]() | P51-100-A-Y-I12-5V-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Absolute Female - 7/16" (11.11mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-100-A-Y-I12-5V-000-000.pdf | |
![]() | APX1117E25 | APX1117E25 DIODES SOT-223 | APX1117E25.pdf | |
![]() | M5M44400AL | M5M44400AL MIT ZIP-20 | M5M44400AL.pdf | |
![]() | VP0650N5 | VP0650N5 ORIGINAL SMD or Through Hole | VP0650N5.pdf | |
![]() | IRF7807VD1-TR | IRF7807VD1-TR IR SMD or Through Hole | IRF7807VD1-TR.pdf | |
![]() | V48B28C500A | V48B28C500A MEMIC-LAMBDA AC-DC | V48B28C500A.pdf | |
![]() | LM3431AQMH | LM3431AQMH NS HTSSOP28 | LM3431AQMH.pdf | |
![]() | HM514170CJ8 | HM514170CJ8 HIT SOJ40 | HM514170CJ8.pdf |