창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BUK9MJT-55PRF,518 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | 934061029518 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 견적 필요 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13.8m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | * | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 20-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 20-SO | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BUK9MJT-55PRF,518 | |
관련 링크 | BUK9MJT-55, BUK9MJT-55PRF,518 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | B43504B2108M | 1000µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 140 mOhm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C | B43504B2108M.pdf | |
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![]() | MBB0207CC2431FC100 | RES 2.43K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB0207CC2431FC100.pdf | |
![]() | C0816JB1A104MT005N | C0816JB1A104MT005N TDK SMD or Through Hole | C0816JB1A104MT005N.pdf | |
![]() | AVT-LWW-24A | AVT-LWW-24A ORIGINAL SMD or Through Hole | AVT-LWW-24A.pdf | |
![]() | 72101R-430 | 72101R-430 Echelon SMD or Through Hole | 72101R-430.pdf | |
![]() | MC68HC000P8* | MC68HC000P8* MOT DIP-64 | MC68HC000P8*.pdf | |
![]() | SCD0705T-151M-N | SCD0705T-151M-N NULL SMD or Through Hole | SCD0705T-151M-N.pdf | |
![]() | DD250GB | DD250GB ORIGINAL SMD or Through Hole | DD250GB.pdf | |
![]() | TMP87C807V-1B14 | TMP87C807V-1B14 TOS DIP/SMD | TMP87C807V-1B14.pdf | |
![]() | 10KP13A | 10KP13A VISHAY/LITELFUSE P-600 | 10KP13A.pdf | |
![]() | K4D623238B-DC55 | K4D623238B-DC55 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4D623238B-DC55.pdf |