홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » BUK9E06-55B,127

NXP Semiconductors BUK9E06-55B,127

BUK9E06-55B,127
제조업체 부품 번호
BUK9E06-55B,127
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
데이터 시트 다운로드
다운로드
BUK9E06-55B,127 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 857.53740
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 BUK9E06-55B,127 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. BUK9E06-55B,127 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. BUK9E06-55B,127가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
BUK9E06-55B,127 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
BUK9E06-55B,127 매개 변수
내부 부품 번호EIS-BUK9E06-55B,127
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BUK9E06-55B
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)55V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C75A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs5.4m옴 @ 25A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs60nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds7565pF @ 25V
전력 - 최대258W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA
공급 장치 패키지I2PAK
표준 포장 50
다른 이름568-6638
568-6638-5
568-6638-ND
934057313127
BUK9E06-55B
BUK9E06-55B,127-ND
BUK9E06-55B-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)BUK9E06-55B,127
관련 링크BUK9E06-5, BUK9E06-55B,127 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
BUK9E06-55B,127 의 관련 제품
1.163MHz LVPECL VCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 120mA Enable/Disable FVXO-PC73BR-1.163.pdf
THD30E1E156MT NIPPON DIP THD30E1E156MT.pdf
B41821A9105M00 EPCOS SMD B41821A9105M00.pdf
3300UF/50V 22*25 Cheng SMD or Through Hole 3300UF/50V 22*25.pdf
M30624FGPFPD5C Renesas SMD or Through Hole M30624FGPFPD5C.pdf
SP010PA-A SANYO SMD or Through Hole SP010PA-A.pdf
2032237-6 TEConnectivity SMD or Through Hole 2032237-6.pdf
SM222TF AD BROADCOM TQFP SM222TF AD.pdf
GT70N03A GMOS TO-252 GT70N03A.pdf
DM74F125SJ NS SOP DM74F125SJ.pdf