NXP Semiconductors BUK962R6-40E,118

BUK962R6-40E,118
제조업체 부품 번호
BUK962R6-40E,118
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
데이터 시트 다운로드
다운로드
BUK962R6-40E,118 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,047.22667
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 BUK962R6-40E,118 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. BUK962R6-40E,118 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. BUK962R6-40E,118가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
BUK962R6-40E,118 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
BUK962R6-40E,118 매개 변수
내부 부품 번호EIS-BUK962R6-40E,118
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BUK962R6-40E
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)40V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C100A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs2.4m옴 @ 25A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.1V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs80.6nC(32V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds10285pF @ 25V
전력 - 최대263W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지D2PAK
표준 포장 800
다른 이름568-10250-2
934066442118
BUK962R6-40E,118-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)BUK962R6-40E,118
관련 링크BUK962R6-, BUK962R6-40E,118 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
BUK962R6-40E,118 의 관련 제품
CPTC FUSE RESETTABLE CMF-RL50A-10-0.pdf
RES SMD 3.4 OHM 1% 1/4W 1206 CRCW12063R40FNTA.pdf
LSR9033/TR2 LIGITEK SMD or Through Hole LSR9033/TR2.pdf
RM27519RJC AMD PLCC RM27519RJC.pdf
RJ24FX103 BOURNS SMD or Through Hole RJ24FX103.pdf
19385001 ALCATEL BGA 19385001.pdf
R941922001 RAD SMD or Through Hole R941922001.pdf
TAJY477M004R AVX SMD or Through Hole TAJY477M004R.pdf
EDET-3LA1-1-VVV03 EDISON SMD or Through Hole EDET-3LA1-1-VVV03.pdf
MM74LS151N FSC DIP-16 MM74LS151N.pdf