창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BUK954R8-60E,127 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BUK954R8-60E | |
PCN 단종/ EOL | EOL 01/Jun/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Source 09/Jun/2014 Lead Frame Supplier Update 18/Feb/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.5m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 65nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9710pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 234W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 568-10287 568-10287-5 568-10287-ND 934066477127 BUK954R8-60E,127-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BUK954R8-60E,127 | |
관련 링크 | BUK954R8-, BUK954R8-60E,127 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
ILBB0805ER101V | 100 Ohm Impedance Ferrite Bead 0805 (2012 Metric) Surface Mount 300mA 1 Lines 150 mOhm Max DCR -55°C ~ 125°C | ILBB0805ER101V.pdf | ||
MBA02040C4424FC100 | RES 4.42M OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C4424FC100.pdf | ||
0557-7700-09-F | 0557-7700-09-F BEL DIP8 | 0557-7700-09-F.pdf | ||
LT1086CM#PBF | LT1086CM#PBF LT TO263-3 | LT1086CM#PBF.pdf | ||
ZUG2206-16 | ZUG2206-16 TDK SMD or Through Hole | ZUG2206-16.pdf | ||
FQ1236/F V-3 | FQ1236/F V-3 PHI-COMP DIP | FQ1236/F V-3.pdf | ||
SAB82526N-HSCX-VA3 | SAB82526N-HSCX-VA3 SIEMENS SMD or Through Hole | SAB82526N-HSCX-VA3.pdf | ||
74LVX126TTR | 74LVX126TTR ST TSSOP-14 | 74LVX126TTR.pdf | ||
CTCMD4D13-100M | CTCMD4D13-100M CENTRAL SMD or Through Hole | CTCMD4D13-100M.pdf | ||
MD80C31BH/BC/5962-8506401MQA | MD80C31BH/BC/5962-8506401MQA INTEL DIP40 | MD80C31BH/BC/5962-8506401MQA.pdf | ||
Q47928.1-0417B3 | Q47928.1-0417B3 N/A SMD or Through Hole | Q47928.1-0417B3.pdf |