창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BUK9209-40B,118 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BUK9209-40B | |
PCN 포장 | DPAK Reel Leader Pockets 27/Sep/2013 Increase of Empty Pockets on Leader 08/Nov/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3619pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 167W | |
작동 온도 | -55°C ~ 185°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 568-6582-2 934057604118 BUK9209-40B /T3 BUK9209-40B /T3-ND BUK9209-40B,118-ND BUK920940B118 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BUK9209-40B,118 | |
관련 링크 | BUK9209-4, BUK9209-40B,118 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
CGA3E2C0G1H121J080AA | 120pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E2C0G1H121J080AA.pdf | ||
HBZ820KBBCRAKR | 82pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | HBZ820KBBCRAKR.pdf | ||
CRGH0805F10K5 | RES SMD 10.5K OHM 1% 1/3W 0805 | CRGH0805F10K5.pdf | ||
RG1608V-472-D-T5 | RES SMD 4.7K OHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608V-472-D-T5.pdf | ||
CRCW120648K7FKEAHP | RES SMD 48.7K OHM 1% 1/2W 1206 | CRCW120648K7FKEAHP.pdf | ||
TA205PA1R80JE | RES 1.8 OHM 5W 5% RADIAL | TA205PA1R80JE.pdf | ||
PLA03M1000 | PLA03M1000 ORIGINAL SMD or Through Hole | PLA03M1000.pdf | ||
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TB28F200B5B60 | TB28F200B5B60 INTEL SMD or Through Hole | TB28F200B5B60.pdf | ||
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BF90309SNO | BF90309SNO N/A SOP-8 | BF90309SNO.pdf | ||
H5GQ1H24BFR-T2C | H5GQ1H24BFR-T2C HYNIX BGA | H5GQ1H24BFR-T2C.pdf |